全自動前処理ICP-MS

半導体前工程での金属汚染はデバイス特性に深刻な影響を与えます。画素の白傷やゲート酸化膜の耐圧不良、接合リーク等がその例として挙げられます。

これらの保守管理として、ファシリティ内のガス配管や薬液槽、および半導体プロセスのWaferの金属汚染管理をクロスコンタミネーションを起こさず、検査するのが全自動金属汚染管理システムです。

半導体製造で用いられるガス中の金属不純物をモニタリングできる装置です。

金属パーティクルだけでなく、ガス状金属不純物を前処理なしで直接定量分析できます。

半導体製造で使用される各種薬液中の金属不純物をオンラインでモニタリングできる装置です。ストレージタンク、キャニスター、ローリーからの薬液を切り替えて１台のICP-MSで分析できます。

サブpptレベルで 24時間モニタリングできるシステムです。

半導体製造装置の金属汚染管理は、ダミーウエーハを用いて行われます。
ICP-MSで分析するために前処理としてVPD(Vapor Phase Decomposition)とLA(Laser Ablation)の2種類があります。

VPD-ICP-MS

HF蒸気を使用してウエーハ表面の酸化膜等をエッチングし、Si基板上に残った金属不純物をスキャンノズルで保持した回収液で回収し、回収液をICP-MSで直接自動分析するシステムです。

半導体製造装置の汚染管理として用いられてきたTXRFの感度不足を解消する代替手法として使用されています。

ウエーハの全面分析に向いています。

LA-ICP-MS

フェムト秒レーザーを使用して300mmウエーハを直接アブレーションし、生成された粒子をエジェクターを用いて吸引しICP-MSで直接分析する装置です。MSAGを用いることで、精度良く定量分析が可能になりました。

また、ウエーハ表面の部分的マッピング、およびベベル・エッジのような局所分析に向いております。

▼Feウエーハ表面（部分マッピング）

▼Cuウエーハ表面（部分マッピング）

▼ベベル箇所（局所部分）

詳しい仕様に関しては、下記フォームよりお問い合わせください。

山善TFS支社は、半導体業界向け製品も取り扱っております。

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